AlN/GaN量子阱中子带间跃迁的温度稳定性
介观与纳米尺度物理
2010-10-07 v1
摘要
本文通过不同温度下的吸收研究和导带电子建模，研究了利用分子束外延生长的AlN/GaN多量子阱中子带间跃迁的温度依赖性。在吸收研究中，样品被逐步加热至 C。自洽Schr"odinger-Poisson建模包含了带隙的温度效应以及热膨胀对压电场的影响。我们发现，在 C时，子带间吸收能相对于其室温值仅降低了 meV。
引用
@article{arxiv.1010.1215,
title = {Temperature stability of intersubband transitions in AlN/GaN quantum wells},
author = {Kristian Berland and Martin Stattin and Rashid Farivar and D. M. S. Sultan and Per Hyldgaard and Anders Larsson and Shu Min Wang and Thorvald G. Andersson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1215},
year = {2010}
}