非极性m面AlGaN/GaN量子阱中的太赫兹子带间吸收
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
我们展示了在m面AlGaN/GaN量子阱中的太赫兹子带间吸收（15.6-26.1 meV）。我们发现峰值能量随量子阱宽度增加而降低的趋势，与理论预期一致。然而，相对于计算值，观察到跃迁能量蓝移高达14 meV。这种蓝移随电荷密度降低而减小，因此归因于多体效应。此外，通过降低总片密度并插入未掺杂的AlGaN层（将波函数与势垒中的电离杂质分离），线宽减少了约40%（从大约8 meV到5 meV）。
引用
@article{arxiv.1406.1772,
title = {Terahertz intersubband absorption in non-polar m-plane AlGaN/GaN quantum wells},
author = {C. Edmunds and J. Shao and M. Shirazi-HD and M. J. Manfra and O. Malis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.1772},
year = {2015}
}