半导体异质结构中带间冲击电离与 terahertz 非线性吸收
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们理论上研究了 InAs/AlSb 异质结中 terahertz 辐射的非线性自由载流子吸收。通过考虑多光子过程和带际间隙冲击电离（II），我们确定了吸收率随场强和频率的依赖关系。结果表明：（i）在低至中等场强下，电子-杂乱散射较为重要；（ii）最重要的是，高场强下的吸收主要由 II 过程主导。我们的理论能够较好地解释 terahertz 频段下非线性吸收的长期实验结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312057,
title = {Interband impact ionization and nonlinear absorption of terahertz radiations in semiconductor heterostructures},
author = {J. C. Cao},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312057},
year = {2007}
}
备注
4 pages including 3 EPS figs