杂质诱导的光激发 GaAs 中太赫兹波调制
应用物理
2017-08-24 v1
摘要
利用脉冲太赫兹 (THz) 透射光谱研究了半绝缘 GaAs 晶体中太赫兹辐射的光致吸收效应。我们发现，在 GaAs 杂质吸收带的光谱范围内，低功率光激发可诱导太赫兹辐射的宽带调制。测得的调制深度达到 80%。所得太赫兹调制器的幅频特性关键取决于 GaAs 导带中的载流子密度和弛豫动力学。在半绝缘 GaAs 晶体中，由杂质激发产生的载流子密度受其向杂质中心弛豫速率的控制。通过适当选择杂质及其浓度，可以优化弛豫速率，进而优化调制器的频率特性。此外，调制参数还可通过晶体温度以及光激发的功率和光子能量进行控制。这些实验为低功耗、快速光控太赫兹调制、成像和光束偏转开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1708.07109,
title = {Impurity-induced modulation of terahertz waves in optically excited GaAs},
author = {A. S. Kurdyubov and A. V. Trifonov and I. Ya. Gerlovin and I. V. Ignatiev and A. V. Kavokin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.07109},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures