太赫兹频率下相干声子诱导的半导体光学调制
材料科学
2013-09-16 v1
摘要
利用强少周期脉冲对原子和分子气体中的电子及振动非线性进行相干调制，已被用于软 X 射线和阿秒区域的高次谐波产生，以及用于覆盖从太赫兹到拍赫兹频率区域多个倍频程的拉曼频率梳。原则上，由于固体和液体具有更高的非线性极化率密度，类似的更高阶非线性过程可以在其中被有效激发。在本文中，我们展示了 Si 和 GaAs 光学指数的声子调制，其激发和探测分别靠近它们的直接带隙（约 3.4 eV 和约 3.0 eV）。由 10-fs 激光脉冲激发的 Si (001) 纵向光学（LO）声子以及 GaAs (001) 中的 LO 声子 - 等离激元耦合模式所产生的大幅值相干纵向光学极化，诱导了反射探测光的有效振幅和相位调制。Si 和 GaAs 中振幅调制与相位调制的共同作用，分别产生了带宽超过 100 THz 和 60 THz 的声子频率梳。
引用
@article{arxiv.1309.3363,
title = {Coherent phonon induced optical modulation in semiconductors at terahertz frequencies},
author = {Muneaki Hase and Masayuki Katsuragawa and Anca Monia Constantinescu and Hrvoje Petek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3363},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 11 figures