太赫兹频率下少层 PdSe2 的声子辅助电子态调控
介观与纳米尺度物理
2021-11-29 v3
摘要
信息技术需要高速光电子器件，但由于高频信号的生成、探测与处理存在困难，突破一太赫兹（THz）壁垒颇具挑战。本文中，我们展示了飞秒激光驱动的声子可用于在 THz 频率相干调控半导体的激子特性。对泵浦光及后续时间延迟宽带探测光的精确控制，使得周期性晶格振动及其与电子态的耦合得以同时生成与探测。结合超低频率拉曼光谱与第一性原理计算，我们辨识出层状 PdSe2 中电子-声子相互作用独特的声子模式选择性与探测能量依赖性特征。两类截然不同的相干声子激发可优先耦合至不同类型的电子激发：层内（4.3 THz）模式耦合至载流子，层间（0.35 THz）模式耦合至激子。该工作为理解二维材料的激发态声子相互作用，以及实现未来太赫兹频率光电子器件应用提供了新见解。
引用
@article{arxiv.2007.02034,
title = {Phonon-assisted electronic states modulation of few-layer PdSe2 at terahertz frequencies},
author = {Ziqi Li and Bo Peng and Miao-Ling Lin and Yu-Chen Leng and Bin Zhang and Chi Pang and Ping-Heng Tan and Bartomeu Monserrat and Feng Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.02034},
year = {2021}
}