太赫兹激发隧穿离子化驱动双掺杂硅锗晶体振动
介观与纳米尺度物理
2025-10-01 v4 材料科学
摘要
利用太赫兹脉冲驱动晶体运动已成为实现动态稳定化难以在平衡量子材料中实现的异相创新途径。本文探讨了太赫兹激发拉曼活性振动的先前未探索机制。我们表明,集中于 1 THz 的强太赫兹脉冲可激发双掺杂硅锗晶体中 2.9 THz 的拉曼活性 振动模式。我们排除了振动通过常规非谐耦合或太赫兹和频过程激发的可能性。相反,我们证明,太赫兹驱动的隧穿离子化为启动振动提供了可信的驱动力。我们的工作揭示了激发共相振动的新机制,为在超快时刻控制半金属和窄带半导体的电子和结构性质提供了潜在途径。
引用
@article{arxiv.2408.05770,
title = {Terahertz-induced tunnel ionization drives coherent Raman-active phonon in Bismuth},
author = {Bing Cheng and Patrick L. Kramer and Mariano Trigo and Mengkun Liu and Ctirad Uher and David A. Reis and Zhi-Xun Shen and Jonathan A. Sobota and Matthias. C. Hoffmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.05770},
year = {2025}
}
备注
Main text + SI; Accepted for publication in Physical Review Letters