GaP/Si(001) 中强耦合的界面电子态与界面声子模
材料科学
2025-04-15 v1
摘要
利用双色泵浦-探测反射率测量研究了 GaP/Si(001) 埋置异质界面的超快载流子与声子动力学。载流子诱导的反射率信号在 1.4 eV 泵浦光子能量处表现出共振增强，这可归属于界面电子态之间的光学跃迁。瞬态反射率被 2 THz 的相干振荡所调制，其振幅在 1.4 eV 处同样达到最大。所观测到的声子模的共振行为，连同其频率和初相均表现出的特征波长依赖性，强烈表明该 2-THz 模是异质界面处类 GaP 与类 Si 声子的差频组合模，并且这一二阶散射过程可通过涉及界面电子态的双共振而增强。
引用
@article{arxiv.2305.04362,
title = {Strongly coupled interface electronic states and interface phonon mode at GaP/Si(001)},
author = {Gerson Mette and Kunie Ishioka and Steven Youngkin and Wolfgang Stolz and Kerstin Volz and Ulrich Höfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.04362},
year = {2025}
}