n 型和 p 型掺杂对 GaN 中相干声子的影响
材料科学
2013-05-09 v1
摘要
利用能量为 3.1 eV 的泵浦-探测反射率测量，在接近 3.39 eV 基本带隙的近共振条件下，研究了掺杂对纤锌矿 GaN 中载流子-声子相互作用的影响。观测到了由 E2 和 A1(LO) 模式以及 2A1(LO) 泛音引起的反射率相干调制。受主原子掺杂，尤其是施主原子掺杂，通过与等离激元的耦合增强了极性 A1(LO) 声子的退相，其中施主的影响更强。掺杂还增强了相干 A1(LO) 声子相对于高频 E2 声子的相对振幅，尽管在拉曼光谱测量中它不影响相对强度。这种增强的相干振幅表明，即使对于亚带隙激发，除了脉冲受激拉曼散射 (ISRS) 之外，瞬态耗尽场屏蔽 (TDFS) 也对相干极性声子的产生有贡献。由于 TDFS 机制需要载流子的光激发，我们认为通过 Franz-Keldysh 效应，在表面处用低于体带隙的光子能量使得带间跃迁成为可能。
引用
@article{arxiv.1302.3658,
title = {Effect of n- and p-type Doping on Coherent Phonons in GaN},
author = {Kunie Ishioka and Keiko Kato and Naoki Ohashi and Hajime Haneda and Masahiro Kitajima and Hrvoje Petek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3658},
year = {2013}
}