n-GaAs 和 n-GaN 中的能量重整化与莫特相变

P. N. Romanets; A. V. Sachenko

n-GaAs 和 n-GaN 中的能量重整化与莫特相变

材料科学 2015-03-03 v4 介观与纳米尺度物理

作者: P. N. Romanets , A. V. Sachenko

摘要

本文研究了在宽温度范围和掺杂浓度下，n-GaAs 和纤锌矿型 n-GaN 中载流子有效质量的重整化及带隙窄化效应。计算基于格林函数形式体系。与以往工作不同，我们同时考虑了莫特相变以下及以上的区域。特别关注了施主子带的形成以及莫特相变的条件。我们还考虑了由光学声子引起的效应。由于动态屏蔽作用，后者强烈依赖于掺杂水平。研究表明，在 n-GaN 中可以设定三个特定的掺杂水平，它们分别对应于：1) 莫特相变，2) 光学声子 - 等离激元的共振放大，以及 3) 光学声子的完全动态屏蔽。与 n-GaN 的情况相反，由于导带更强的非抛物性，在 n-GaAs 中无法实现完全动态屏蔽效应。

关键词

能量重整化莫特相变 n-GaAs n-GaN 有效质量带隙窄化格林函数光学声子

引用

@article{arxiv.1402.5941,
  title  = {Energy renormalization and Mott transition in n-GaAs and n-GaN},
  author = {P. N. Romanets and A. V. Sachenko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5941},
  year   = {2015}
}

备注

This paper has been withdrawn by the author due to reconsidering of the approach

n-GaAs 和 n-GaN 中的能量重整化与莫特相变

摘要

关键词

引用

备注

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