MOVPE 生长的 GaN:$\delta$-Mg：结构特性及其对电子和光学行为的影响
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
利用透射电子显微镜、二次离子质谱、原子力显微镜、X 射线衍射、霍尔效应测量和光致发光，研究了通过金属有机气相外延 (MOVPE) 生长的 GaN 中 Mg -掺杂对结构、电学和光学特性的影响。当平均 Mg 浓度高于 2.14 10 cm 时，会发生相分离，表现为层中存在富 Mg 的金字塔形反相畴。我们表明，与 Mg 连续掺杂相比，-掺杂促进了样品表面扩展缺陷的抑制，并显著改善了外延层的形貌。反之，我们无法证实其他作者报道的-掺杂导致 threading 位错密度降低的结果。在相分离区域，由于自补偿机制，空穴浓度随 Mg 浓度的增加而降低。在我们生长条件下低于 Mg 在 GaN 中的固溶度限时，势涨落导致自由到束缚跃迁的发射能量发生红移。
关键词
引用
@article{arxiv.0709.1634,
title = {GaN:$\delta$-Mg grown by MOVPE: structural properties and their effect on the electronic and optical behaviour},
author = {Tian Li and Clemens Simbrunner and Matthias Wegscheider and Andrea Navarro-Quezada and Martin Quast and Klaus Schmidegg and Alberta Bonanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1634},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 11 figures