铁磁性(Ga,Mn)N外延层与反铁磁性GaMn$_3$N团簇的对比
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
通过氮等离子体辅助分子束外延生长了Mn掺杂的纤锌矿GaN外延层。相关的SIMS、结构和磁性测量表明，Mn的掺入强烈依赖于生长条件。在高温下持续存在的磁滞回线似乎与Mn的存在无关。Mn含量高达2%的样品是纯粹的替代式GaMnN外延层，并表现出顺磁特性。在更高的Mn含量下，会形成沉淀物，通过X射线衍射和吸收鉴定为GaMnN团簇：这导致顺磁磁化强度降低。共掺杂足够量Mg的样品表现出一个新的特征：在高达 K的温度下观察到铁磁性组分，这不能归因于未分辨磁性沉淀物的超顺磁性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307395,
title = {Ferromagnetic (Ga,Mn)N epilayers versus antiferromagnetic GaMn$_3$N clusters},
author = {R. Giraud and S. Kuroda and S. Marcet and E. Bellet-Amalric and X. Biquard and B. Barbara and D. Fruchart and D. Ferrand and J. Cibert and H. Mariette},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307395},
year = {2007}
}
备注
Revised version