磁掺杂 III-V 半导体中的铁磁性
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
讨论了 III-V 半磁性材料中铁磁性的起源。由于磁掺杂能级在带隙中虚拟电子激发到价带所导致的间接交换相互作用，可以解释 GaAs(Mn) 中的铁磁性，无论样品是退化还是非退化。铁磁簇的形成以及相变的滥 percolation 模型能够很好地解释所有已有的实验数据，并允许预测 wurtzite (Ga,In,Al)N 薄膜中 Mn 掺杂度对相变温度的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101389,
title = {Ferromagnetism in magnetically doped III-V semiconductors},
author = {V. I. Litvinov and V. K. Dugaev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101389},
year = {2009}
}
备注
4 pages with 3 figures