铁锰镓半导体：超越 (Ga,Mn)As 的新视角
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
III-V 型铁磁半导体生长技术的最新进展催生了具备自旋电子学潜力的材料——即利用载子自旋极化进行电子器件。其中 (Ga,Mn)As 因生长技术优化而获得可重复的材料特性及 150 K 以上的铁磁转变温度受到广泛关注。我们综述了该材料的研究进展及其作为铁磁半导体整体的探讨。随后讨论了其在自旋电子学中的应用前景。最后，我们提出评估新发现铁磁半导体潜力的标准，并建议指导寻找理想材料的研究指南。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503185,
title = {Ferromagnetic Semiconductors: Moving Beyond (Ga,Mn)As},
author = {A. H. MacDonald and P. Schiffer and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503185},
year = {2015}
}
备注
37 pages, 4 figures