铁磁半导体 (Ga,Mn)As 中的非热激光诱导磁化进动
材料科学
2011-01-06 v1
摘要
最近在常规氧化物和金属铁磁体中发现的非热激光诱导自旋激发，为磁系统超快光学操控的研究与应用开启了前所未有的机遇。铁磁半导体，特别是 (Ga,Mn)As，应当是探索这一新领域的理想系统。值得注意的是，至今非热效应的存在仍是铁磁半导体研究中悬而未决的突出问题之一。在此我们证明，通过圆偏振飞秒激光脉冲的角动量转移，以及由激光脉冲能量转移引起的非热与热效应的组合，可以在 (Ga,Mn)As 中非热地激发相干磁化动力学。在压电控制样品中，热效应可以被完全抑制。我们的工作基于大量 (Ga,Mn)As 外延层的泵浦探测测量，以及对圆和线性磁光系数的系统分析。我们提供了实验结果的微观理论解释。
引用
@article{arxiv.1101.1049,
title = {Non-thermal laser induced precession of magnetization in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As},
author = {P. Nemec and E. Rozkotova and N. Tesarova and F. Trojanek and K. Olejnik and J. Zemen and V. Novak and M. Cukr and P. Maly and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1049},
year = {2011}
}
备注
14 pages, 4 figures, plus supplementary material