铁磁III-V族半导体的理论模型
材料科学
2009-11-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近期的材料研究已将含磁性元素半导体的最高铁磁转变温度推向室温。实现这一目标将使这些材料在信息技术中的应用成为可能。在本文中，我们简要回顾了过去五年中旨在实现对这些复杂磁性系统理论理解的研究现状。具有最高转变温度的(III,Mn)V化合物中铁磁性的基本微观起源似乎已得到充分理解，并且已经开发出能够对其磁性、输运和光学性质进行建模的高效计算方法。然而，许多问题仍然存在。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210318,
title = {Theoretical models of ferromagnetic III-V semiconductors},
author = {T. Jungwirth and Jairo Sinova and J. Kučera and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210318},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, review, to be published in Curr. Appl. Phys