(III,Mn)V 铁磁半导体的 Curie 温度趋势
材料科学
2016-08-16 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们对基于 局域磁矩与宿主半导体价带中流动空穴相互作用的立方 (III,Mn)V 半导体中的铁磁相变温度进行了理论调查。从最简单的均匀场理论开始，我们估算了由于局域磁矩有序自发磁矩的交换和关联导致的 增强，以及由于有序磁矩的集体波动导致的 抑制。我们指出，这些铁磁半导体的高临界温度需要价带中重空穴的大磁化率贡献以及由价带中强自旋轨道耦合产生的大自旋刚性。我们的计算表明，这一模型对于这些体系的铁磁性完全符合 Mn掺杂氮化物中室温铁磁性的报告结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201157,
title = {Curie Temperature Trends in (III,Mn)V Ferromagnetic Semiconductors},
author = {T. Jungwirth and Jürgen König and Jairo Sinova and J. Kučera and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201157},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 2 figures, 1 table; web-link in Ref.16 corrected, Ref. 18 added