通过碳共掺杂提高 (Ga,Mn)As 半导体的铁磁相变温度
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们提出了一种具有高 C 接受浓度的 (Ga,Mn)(As,C) 稀释磁半导体的理论研究，结合了现象学模型和微观方法的见解。使用紧束缚协同势近似来描述在 Mn 和 C 杂质存在下的电子结构。我们发现即使在每 cent 级掺杂水平下，C 对靠近价带顶端电子态分布和相干性，以及 Mn 矩之间的耦合只有很小的影响。这些结果表明，即使在 C 掺杂样品中，也可以将由价带中流动空穴中介的 Mn-Mn 铁磁耦合模型适用。由于 C 接受体的存在，铁磁相变温度的提高通过使用 k·p Kohn-Luttinger 描述 GaAs 价带的计算得以说明，假设 Mn 局域矩和流动空穴密度可以独立变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306557,
title = {Ferromagnetic transition temperature enhancement in (Ga,Mn)As semiconductor by carbon co-doping},
author = {T. Jungwirth and J. Masek and Jairo Sinova and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306557},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures