p 型选择性掺杂 Mn δ掺杂 GaAs 中的高铁磁转变温度（172K）
材料科学
2013-05-29 v1
摘要
我们在通过分子束外延在 GaAs(001) 衬底上生长的 Mn δ掺杂 GaAs 基异质结构中发现了高铁磁转变温度。0.3 ML Mn δ掺杂的 GaAs 样品在低温下表现出高电阻率，且未显示出铁磁行为。然而，在选择掺杂的异质结构（Mn δ掺杂 GaAs / Be 掺杂 AlGaAs）中，由于空穴由 Be 掺杂 AlGaAs 层提供，观察到了清晰的铁磁序。经过适当的低温（LT）退火处理，该选择掺杂异质结构的铁磁转变温度高达 172K。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208299,
title = {High Ferromagnetic Transition Temperature (172K) in Mn delta-doped GaAs with p-type Selective Doping},
author = {Ahsan M. Nazmul and S. Sugahara and M. Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208299},
year = {2013}
}