最优设计的数字掺杂 Mn:GaAs
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们采用 ab initio 局域密度近似 (LDA) 来研究 Ga1-xMnxAs 中交换互作用及其 Tc。我们依据 LDA 对 Mn t2 与 e 能级的预测，分析交换互作用的晶体学依赖性，并解释抗铁磁相互作用对总交换互作用贡献的来源。我们利用这种依赖性，考虑在抗铁磁相互作用被最小化的特定取向上的 delta 掺杂，以优化该系统的 Tc。通过加入 Be 掺杂至 GaAs 宿主中，对数字掺杂的 Ga1-xMnxAs 预测其 Tc 可显著超过室温。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612411,
title = {Optimally Designed Digitally-Doped Mn:GaAs},
author = {J. L. Xu and M. van Schilfgaarde},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612411},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 5 figures, submitted to PRB, rapid communication