Mn掺杂GaAs、GaP和GaN半导体的第一性原理电子结构
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
我们基于局域自旋密度近似（LSDA）以及自相互作用修正的局域自旋密度方法（SIC-LSD），对Mn掺杂的III-V半导体进行了第一性原理电子结构计算。我们发现，使用无自相互作用的方法来正确描述电子基态至关重要。SIC-LSD计算预测了Mn在GaAs、GaP和GaN中的正确电子基态构型。对于(GaMn)As，磁矩和p-d交换与实验达到了极好的定量一致。这些结果使我们能够验证磁性半导体常用的模型。此外，我们讨论了从密度泛函理论计算中提取局域能级结合能这一精细问题。我们提出了三种考虑终态效应来估算GaAs中Mn-d能级结合能的方法。我们发现计算值与光发射实验的估计值吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610378,
title = {First Principles Electronic Structure of Mn doped GaAs, GaP, and GaN semiconductors},
author = {T. C. Schulthess and W. M. Temmerman and Z. Szotek and A. Svane and L. Petit},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610378},
year = {2015}
}
备注
25 pages, 3 figures, 2 tables