Mn掺杂GaAs(110)表面的结构、电子和磁性性质
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们进行了第一性原理总能量赝势计算，以研究Mn掺杂GaAs的(110)横截面表面的STM图像。我们考虑了Mn位于最上层表面层的间隙位置，且Mn被As（IntAs）或Ga（IntGa）原子包围的构型。在GaAs(110)表面引入Mn导致底层晶格产生强烈的局域畸变，原子间距相对于未弛豫结构的变化高达3%。在两种情况下，表面电子结构都是半金属的（或“近”半金属），并且强烈依赖于Mn的局域环境。附近的Mn原子表现出感应的自旋极化，导致铁磁性的Mn-As和反铁磁性的Mn-Ga构型。STM图像的模拟显示，成像的Mn原子呈现出非常不同的图案，这表明它们可以通过STM分析轻松区分。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610292,
title = {Structural, electronic and magnetic properties of Mn-doped GaAs(110) surface},
author = {A. Stroppa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610292},
year = {2007}
}
备注
Typos corrected