GaAs (110) 横截面表面 Mn 缺陷的计算与实验成像

我们提出了对 Mn $\delta$ 掺杂 GaAs 样品的 (110) 横截面表面的实验与计算相结合的研究。研究聚焦于三种先前未被详细研究的不同选定 Mn 缺陷构型，即表面间隙 Mn（孤立及成对）以及第一亚表面层阳离子位上的替位 Mn 原子 (Mn$_{\rm Ga}$)。扫描隧道显微镜图像对特定局部环境的敏感性，使得能够区分最近邻为 As 原子的间隙 Mn (Int$_{\rm As}$) 与最近邻为 Ga 原子的间隙 Mn (Int$_{\rm Ga}$)，并识别出亚表面替位 Mn 周围特有卫星特征的特征指纹。针对孤立及成对 Int$_{\rm As}$ 以及第一亚表面层中 Mn$_{\rm Ga}$ 的模拟扫描隧道显微镜图，与一些迄今未被完全表征的实验图像一致。