嵌入砷化镓中尖锐硅插层的截面成像
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们使用第一性原理技术研究了Si掺杂GaAs的(110)截面表面的电子性质。我们重点关注Si杂质在阳离子和阴离子位点浓度相等的掺杂构型，例如在自补偿掺杂机制中出现的情况。特别地，我们研究了均匀分布在两个连续(001)原子层上的Si原子双层。模拟的截面扫描隧道显微镜图像在负偏压下显示出一个明亮的信号，当偏压反转时该信号显著减弱。这种情景与实验结果一致，而实验结果此前被归因于迄今未识别的Si络合物。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503572,
title = {Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide},
author = {Xiangmei Duan and Stefano Baroni and Silvio Modesti and Maria Peressi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503572},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures