通过 Ge/Si 异质界面表面链实现 Mn 磁性杂质的原子层掺杂
材料科学
2017-11-29 v1
摘要
我们利用 Si(001) 上的 Mn 原子链实现了向 Si 及 Si/Ge 界面的 Mn 掺杂。高灵敏 X 射线吸收精细结构技术揭示，室温下的封装可阻止硅化物/锗化物的形成，同时保持一维各向异性结构。这通过研究入射 X 射线偏振依赖性和退火后效应得以揭示。密度泛函理论计算表明 Mn 原子位于替代位，且与实验吻合良好。全面的磁输运研究显示，Mn 掺杂层内存在约 120\,K 的磁有序。我们证明，基于掩埋表面纳米结构的掺杂方法可实现常规掺杂方法无法制备的体系。
引用
@article{arxiv.1711.10191,
title = {Atomic layer doping of Mn magnetic impurities from surface chains at a Ge/Si hetero-interface},
author = {Koichi Murata and Christopher Kirkham and Satoshi Tsubomatsu and Takashi Kanazawa and Kiyofumi Nitta and Yasuko Terada and Tomoya Uruga and Koh-ichi Nittoh and David R. Bowler and Kazushi Miki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.10191},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 6 figures, accepted for publication by Nanoscale