原子探针层析技术证实超导硅中无硼聚集体
超导电性
2012-11-07 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
通过气体浸没激光掺杂（GILD）技术制备的超导掺硼硅薄膜采用原子探针层析技术进行了分析。所得的三维化学成分表明，硼原子以原子百分比浓度范围掺入晶体硅中，远高于其溶解度极限，且在原子尺度上未形成团簇或沉淀物。发现硼的空间分布与通过扫描隧道谱测量的局部态密度相容。这些结果，结合极低杂质水平的观察以及掺杂与未掺杂区之间清晰的二维界面，表明通过 GILD 获得的 Si:B 材料是一种定义明确的随机替代合金，具有极具前景的超导特性。
引用
@article{arxiv.1103.4409,
title = {Absence of boron aggregates in superconducting silicon confirmed by atom probe tomography},
author = {K. Hoummada and F. Dahlem and T. Kociniewski and J. Boulmer and C. Dubois and G. Prudon and E. Bustarret and H. Courtois and D. Debarre and D. Mangelinck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4409},
year = {2012}
}
备注
4 pages