掺杂硅图案上埋藏原生亚氧化物层的全场化学成像

利用全能量过滤 X 射线光电子发射显微镜，分析了作为底层掺杂图案函数的 SiO2/Si 界面处硅亚氧化物结构的空间分布。通过光谱逐像素曲线拟合分析，我们获得了整个视场范围内的亚氧化物结合能和强度分布。获得了每种氧化态的结合能图，空间分辨率为 120 nm。在五层模型的框架下，利用实验数据获得了亚氧化物层厚度的定量图及其在 p-n 结上的空间分布。发现亚氧化物厚度的变化与掺杂水平和类型有关。该过程考虑了仪器伪影，能够对完整的 3D 数据集进行定量分析。