富硅氮化硅二次电子产额的蒙特卡罗模拟
高能物理 - 实验
2022-03-23 v2
摘要
利用电子-物质相互作用的蒙特卡罗模拟，研究了掺杂对Si3N4薄膜二次电子产额的影响。通过使用从第一性原理密度泛函理论计算获得的能量损失函数，在蒙特卡罗模拟包的电子散射模型中，研究了硅掺杂水平以及掺杂在富硅氮化硅薄膜中分布的影响。掺杂水平的增加导致最大二次电子产额降低。可以优化掺杂硅原子的分布，以最小化产额的降低。
引用
@article{arxiv.2110.12965,
title = {Monte Carlo simulation of the secondary electron yield of silicon rich silicon nitride},
author = {A. M. M. G. Theulings and S. X. Tao and C. W. Hagen and H. Van der Graaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.12965},
year = {2022}
}
备注
To be published in JINST