多层 TiN/Al2O3 透射打拿极的二次电子发射
仪器与探测器
2021-08-11 v3 高能物理 - 实验
摘要
我们利用扫描电子显微镜中的半球收集系统，对能量在 0.3 至 10 keV 之间的电子，研究了多层 Al2O3/TiN 膜的（二次）电子发射。这些超薄膜旨在作为新型真空电子倍增器中的透射打拿极。通过原子层沉积（ALD）氧化铝和溅射氮化钛制造了两种不同类型：双层和三层。对两类膜均测量了反射和透射电子产额（σR、σT）。相比之下，在相同有效厚度的薄膜中，三层膜在透射电子产额方面优于双层膜。最高的透射电子产额在层厚为 5/2.5/5 nm 的 Al2O3/TiN/Al2O3 膜上测得，其最大透射电子产额 σTmax(E0) 为 3.1（1.55 keV）。此外，通过使用正样品偏压进行附加测量以分离透射分数 ηT 和透射二次电子产额 δT，对双层膜进行了更深入的研究。透射分数用于确定表征初级电子（PEs）在薄膜中相互作用的透射参数 p。透射二次电子产额用于比较不同厚度薄膜中初级电子的能量转移。
引用
@article{arxiv.2008.08997,
title = {Secondary Electron Emission from Multi-layered TiN/Al$_2$O$_3$ Transmission Dynodes},
author = {H. W. Chan and V. Prodanović and A. M. M. G. Theulings and C. W. Hagen and P. M. Sarro and H. v. d Graaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.08997},
year = {2021}
}