一种基于 MIS 结构边缘击穿的新型薄膜场致发射显示器提案
仪器与探测器
2009-10-31 v1
摘要
提出一种基于金属-绝缘体-半导体（MIS）薄膜结构边缘增强电子发射的新型场发射显示器（FED）。由顶部金属电极边缘附近半导体中雪崩击穿产生的电子，先注入具负电子亲和势（NEA）的绝缘薄膜，随后在顶部电极边缘邻近处注入真空。以绝缘体厚度与半导体耗尽区最大（击穿）宽度之比解析求得顶部金属电极边缘附近深耗尽击穿条件：该比值应小于 2/(3π - 2) = 0.27。分析了相邻金属电极及电极厚度对此条件的影响。考虑了所提显示器的不同实用方案，特别参照 M/CaF_2/Si 结构。
引用
@article{arxiv.physics/9901018,
title = {A proposal for a new type of thin-film field-emission display by edge breakdown of MIS structure},
author = {V. N. Konopsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/9901018},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 5 figures