用于研究MoS${_2}$薄膜MOSFET缺陷的多参数导纳谱

Eros Reato; Ardeshir Esteki; Benny Ku; Zhenxing Wang; Michael Heuken; Max C. Lemme; Olof Engström

doi:10.1109/TED.2025.3527413

用于研究MoS${_2}$薄膜MOSFET缺陷的多参数导纳谱

应用物理 2025-04-03 v1

作者: Eros Reato , Ardeshir Esteki , Benny Ku , Zhenxing Wang , Michael Heuken , Max C. Lemme , Olof Engström

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摘要

提出了一种评估薄膜金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）电子材料质量的方法。通过研究暴露于大气条件下的MOCVD生长的MoS ${_2}$ 沟道样品，揭示了MoS ${_2}$ 中以及栅绝缘体与薄膜MoS ${_2}$ 界面处电子陷阱的存在。将晶体管沟道的微分电导和电容数据绘制在以测量频率和栅极电压为基平面的三维曲面上。通过与理论模型的理想结果进行比较，确认了缺陷的存在。

关键词

导纳谱二硫化钼薄膜晶体管缺陷表征金属有机化学气相沉积界面陷阱

引用

@article{arxiv.2407.07783,
  title  = {Multiparameter admittance spectroscopy for investigating defects in MoS${_2}$ thin film MOSFETs},
  author = {Eros Reato and Ardeshir Esteki and Benny Ku and Zhenxing Wang and Michael Heuken and Max C. Lemme and Olof Engström},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2407.07783},
  year   = {2025}
}

备注

24 pages

用于研究MoS${_2}$薄膜MOSFET缺陷的多参数导纳谱

摘要

关键词

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