利用少层 MoS2 薄膜晶体管进行选择性化学 vapor 传感

我们演示了利用 MoS2 薄膜晶体管，通过沟道电导变化、特征瞬态时间和低频电流涨落作为传感参数，实现选择性气体传感。我们在 Si/SiO2 衬底上制备了背栅 MoS2 薄膜场效应晶体管，并故意老化一个月以验证可靠性并获得更好的电流稳定性。相同的器件，其沟道被 10 nm 的 Al2O3 覆盖，用作参考样品。暴露于乙醇、乙腈、甲苯、氯仿和甲醇蒸气会导致源漏电流发生剧烈变化。根据分析物的不同，电流可增加或减少两个数量级以上。沟道被涂覆的参考器件未显示任何响应。已确定电流变化的瞬态时间和低频电流涨落的归一化谱密度可用作少层 MoS2 晶体管选择性气体检测的附加传感参数。