基于超薄 MoS2 晶体管的真空计
应用物理
2020-06-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们制备了单层 MoS2 场效应晶体管，并研究了其在 10^-6 Torr 至大气压空气中的电学特性。我们发现晶体管的阈值电压随压力升高而增大。因此，我们提出将该器件作为气压传感器，并表明其特别适合作为低功耗真空计。该器件基于压力依赖的 O2、N2 和 H2O 分子吸附来工作，这些吸附影响了 MoS2 沟道的 n 型掺杂。
引用
@article{arxiv.2006.04474,
title = {Vacuum gauge from ultrathin MoS2 transistor},
author = {A. Di Bartolomeo and A. Pelella and A. Grillo and F. Urban and L. Iemmo and E. Faella and N. Martucciello and F. Giubileo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.04474},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 4 figure - conference paper