单层 MoS2 纳米带场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2019-04-02 v1
摘要
我们研究了具有欧姆接触、宽度为 50nm 的刻蚀单层 MoS2 纳米带器件的场效应晶体管特性。我们采用 SF6 干法等离子体工艺，以低射频（RF）功率刻蚀 MoS2 纳米带，从而非常精确地控制刻蚀速率。跨导测量显示，使用全局背栅时亚阈值斜率陡峭，为 3.5V/dec。此外，我们测得 38 uA/um 的高电流密度，从而实现约 10^5 量级的高开关比。我们观察到随源-漏偏压增大，迁移率可达高达 50 cm^2/V.s。
引用
@article{arxiv.1811.01390,
title = {Single layer MoS2 nanoribbon field effect transistor},
author = {D. Kotekar-Patil and J. Deng and S. L. Wong and Chit Siong Lau and Kuan Eng Johnson Goh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.01390},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 3 figures