化学合成与机械剥离多层 MoS2 场效应晶体管的比较研究
介观与纳米尺度物理
2015-01-30 v1 材料科学
摘要
我们报道了使用化学合成的多层二维晶体半导体 MoS2 制备的场效应晶体管（FET）。化学合成（s-）MoS2 的 FET 迁移率、亚阈值摆幅、开关比和接触电阻等电学性质与机械剥离（x-）MoS2 无法区分，但平带电压不同，可能源于转移过程中产生的极性化学残留。电子衍射研究和拉曼光谱显示 s-MoS2 与 x-MoS2 的结构相似性。这份关于 s-MoS2 行为和性质的初步报告说明了使用合成层状二维晶体半导体制造电子器件的可行性。
引用
@article{arxiv.1301.4527,
title = {Comparative Study of Chemically Synthesized and Exfoliated Multilayer MoS2 Field-Effect Transistors},
author = {Wan Sik Hwang and Maja Remskar and Rusen Yan and Tom Kosel and Jong Kyung Park and Byung Jin Cho and Wilfried Haensch and Huili and Xing and Alan Seabaugh and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.4527},
year = {2015}
}