基于过渡金属硫化物的新型高迁移率场效应管
材料科学
2009-11-10 v1 强关联电子
摘要
我们报道了制造基于过渡金属硫化物的新型场效应管 (FET)。这些层状无机半导体单晶的独特结构使得可以制造具有内在低场效应阈值和高载流子迁移率的FET，迁移率可达最佳单晶硅 FET 中的水平 (在室温下 WSe2 基 FET 中 p 型导电性可达 500 cm2/Vs)。这些新型FET显示出双极性运行。由于机械灵活性，它们有潜力用于“柔性”电子器件。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401243,
title = {Novel High-Mobility Field-Effect Transistors Based on Transition Metal Dichalcogenides},
author = {V. Podzorov and M. E. Gershenson and Ch. Kloc and R. Zeis and E. Bucher},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401243},
year = {2009}
}
备注
3 pages