高迁移率少层 SnSe$_{2}$ 场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v1
摘要
我们报道了机械剥离少层 SnSe 薄片的输运性质，通过四探针测量发现其在 300 K 下的迁移率约为 85 cmVs，高于大多数少层过渡金属二硫族化物（TMDs）。迁移率随温度降低而显著增加，表明这是声子限制输运。半导体 SnSe 的电导率表现出金属行为，这可以通过涉及迁移率和载流子子密度不同温度依赖关系的两个竞争因素来解释。发现费米能级在 300 K 时位于导带底（CBM）以下 87 meV 处，在 78 K 时位于 CBM 以下 12 meV 处，这是由重 n 型掺杂导致的。先前的研究发现 SnSe 场效应晶体管极难关闭。我们发现限制因素是薄片厚度相对于最大耗尽宽度的比例。通过使用全耗尽器件，我们实现了约 10 的电流开关比。这些结果证明了 SnSe 作为二维（2D）半导体材料的巨大潜力，并有助于我们理解其他重掺杂 2D 材料。
引用
@article{arxiv.1609.03742,
title = {Field-effect transistors of high-mobility few-layer SnSe$_{2}$},
author = {Chenglei Guo and Zhen Tian and Yanjun Xiao and Qixi Mi and Jiamin Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.03742},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 4 figures