高迁移率硅反型层中双谷电子系统电导率的相互作用效应
无序系统与神经网络
2013-03-05 v1 强关联电子
摘要
我们测量了高迁移率(001)硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在宽电子密度范围n=(1.8-15)x10^11cm^2、温度范围T=30mK-4.2K以及面内磁场B=0-5T下的电导率。实验数据采用无序二维系统中电导率相互作用效应理论进行了分析。与理论比较所需的关键参数，如谷间散射时间和谷分裂，已在独立实验中测量或评估。观察到的电导率行为，包括其随温度降至约0.4K而准线性增加以及在更低温度下的下降，与理论一致。从比较中获得的费米液体参数值与基于相互作用二维系统磁振荡理论分析Shubnikov-de Haas振荡所提取的相应值一致。
引用
@article{arxiv.0809.2750,
title = {Interaction Effects in Conductivity of a Two-Valley Electron System in High-Mobility Si Inversion Layers},
author = {N. N. Klimov and D. A. Knyazev and O. E. Omel'yanovskii and V. M. Pudalov and H. Kojima and M. E. Gershenson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2750},
year = {2013}
}
备注
26 pages, 5 color figures