二维薄弱电子气 near 金属-绝缘体转变
无序系统与神经网络
2015-06-24 v1 强关联电子
摘要
近年来，对二维稀疏、极其洁净二维电子/空穴系统电阻温度依赖性的系统性实验研究，使了转归本质性问题，即局域化问题，或 alternatively 金属-绝缘体转变是否存在。在二维强电子-电子相互作用下。我们认为，在极端条件下，极其洁净的系统中，不仅电子-电子相互作用非常强大，而且其他与系统相关的特性作用也被放大。特别是，我们强调了谷在决定二维电子气在硅 Inversion 层(Si-MOSFET)传输特性中的作用。对于高品质样品，金属-绝缘体转变临界区域附近的电阻温度行为，可通过对相互作用和无序相互作用进行的重整化群分析得到很好描述，前提是假设电子能带具有两个 distinct 的谷。通过该分析，捕获了电阻降低最高可达五倍，且无需引入任何可调参数。来自不同 Si-MOSFET 样品数据的显著差异归因于样品相关的在两个谷之间的散射率，进而为不同质量的 Si-MOSFET 样品缺乏普适行为提供了可能的解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105471,
title = {Dilute electron gas near the metal-insulator transition in two dimensions},
author = {Alexander Punnoose and Alexander M. Finkel'stein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105471},
year = {2015}
}