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p-SiGe中B=0时的金属-绝缘体转变

强关联电子 2009-10-30 v2

作者: P. T. Coleridge , R. L. Williams , Y. Feng , P. Zawadzki

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摘要

我们报道了在非对称掺杂应变SiGe量子阱中二维空穴气中观察到的金属-绝缘体转变。在这些高迁移率样品中,低温下出现的金属相的特征是电阻率随温度降低呈指数下降。这种行为,以及转变两侧电阻率和电导率之间的对偶性,与最近报道的高迁移率Si-MOSFET非常相似。

关键词

金属-绝缘体转变二维空穴气 SiGe量子阱电阻率对偶性 Si-MOSFET

引用

@article{arxiv.cond-mat/9708118,
  title  = {Metal Insulator transition at B=0 in p-SiGe},
  author = {P. T. Coleridge and R. L. Williams and Y. Feng and P. Zawadzki},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9708118},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, REVTEX with 3 ps figures