二维金属-绝缘体转变的起源
强关联电子
2008-02-03 v1
摘要
最近在高迁移率Si MOS结构中观察到两种现象：(1) 低温（T < 2K）下金属导电性的强烈增强，以及 (2) 电阻率对温度和电场依赖性的标度行为。这些结果证明了二维中真正的金属-绝缘体转变，这与单参数标度理论表面上的不一致。在这里，我们提出了一个模型，该模型在自旋轨道相互作用的框架内解释了这两种效应，并与实验数据定量吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707053,
title = {On the Origin of the Metal-Insulator Transition in 2D},
author = {V. M. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707053},
year = {2008}
}
备注
2 pages (postscript) including 1 table and 1 fig