对“二维 B=0 金属-绝缘体相变中的电场标度”的评论

在最近的一封信中，Kravchenko 等人 [cond-mat/9608101] 为 Si 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中的二维电子系统（2DES）的金属-绝缘体相变（MIT）提供了证据。在这些样品中观察到的相变发生在相对较低的电子密度 $n_{s}\sim (1-2)\times 10^{11}cm^{-2}$ 和较高的无序度 $\sigma_{c}\sim e^{2}/2h$ 下。我们展示了一个二维 MIT 的证据，该结构中的无序度比 Si MOSFET 弱约两个数量级。MIT 发生在相同的 $n_s$ 范围内，这提供了非常有力的证据，表明基于 Si 的器件中的二维 MIT 是由电子-电子相互作用引起的。