二维金属-绝缘体转变附近的电导涨落
强关联电子
2009-10-30 v1
摘要
对短而宽的高迁移率Si-MOSFET的电导 的测量揭示了在中等温度（1 4~K）下的二维金属-绝缘体转变（MIT）以及在低温（ 1~K）下的介观电导涨落。两者都作为化学势（载流子浓度 ）的函数进行研究，化学势由栅极电压（）和MIT附近的磁场 控制。对低温涨落的傅里叶分析揭示了 中的几个涨落尺度，这些尺度在MIT附近非单调变化。在较高温度下， 与大尺寸场效应晶体管相似，并表现出MIT。所有观察结果都支持MIT由载流子之间的库仑相互作用驱动的观点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9708168,
title = {Conductance Fluctuations Near the Two-Dimensional Metal-Insulator Transition},
author = {K. P. Li and Dragana Popovic and S. Washburn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9708168},
year = {2009}
}
备注
4 pages, LaTeX, physica.sty (slightly modified prabib.sty), Submitted to the 1997 Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems