低温下小尺寸绝缘 GaAs:Si 线中的电导统计。II. 实验研究
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们观察到在低温下，通过施加栅电压驱动小尺寸 GaAs:Si 线跨越安德森转变时，出现可复现的电导涨落。我们根据截断量子涨落定量分析了对数正态电导统计。由于电子能量微小变化（由栅电压控制）引起的量子涨落，由于描述通过样品跳跃的电阻网络的已识别几何涨落，无法完全发展。涨落随电子能量和磁场的变化表明，涨落是非遍历的，除了安德森转变的临界绝缘区域，其中局域化长度大于 Si 杂质之间的距离。平均磁电导与基于前向有向路径分析的模拟结果非常吻合，即在强局域化区域，随着 下降几个数量级，它饱和到 。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9304029,
title = {Conductance statistics in small insulating GaAs:Si wires at low temperature. II. Experimental study},
author = {F. Ladieu and D. Mailly and M. Sanquer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9304029},
year = {2009}
}
备注
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