无序二维拓扑绝缘体线中的电导涨落：从量子自旋霍尔到普通量子相

杂质和缺陷在拓扑绝缘体（TIs）中无处不在，因此理解无序对电子输运的影响十分重要。我们计算了由具有现实参数的 Bernevig-Hughes-Zhang (BHZ) 哈密顿量建模的无序二维 TI 线的随机电导涨落分布 $P(G)$。正如我们所展示的，无序将 TIs 驱动到不同区域：金属（M）、量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）和普通绝缘体（OI）。通过改变无序强度和费米能量，我们解析和数值地计算了整个相图中的 $P(G)$。电导涨落遵循酉普适类 $\beta=2$ 的统计。然而，在强无序和高能量下，涨落大小 $\delta G$ 达到正交对称类的普适值（$\beta=1$）。在 QSHI-M 和 QSHI-OI 交叉处，边缘态与体态之间的相互作用在电导的统计性质中起关键作用。