三维拓扑绝缘体中无序诱导的分数化量子化电导与普适电导涨落
介观与纳米尺度物理
2011-10-19 v1
摘要
我们报告了对存在无序的 和 三维拓扑绝缘体（3D TI）的电导及其涨落的理论研究。我们进行了广泛的数值模拟。我们发现在扩散区，电导以分数值量子化。重要的是，电导涨落也以普适值量子化。对于由两个端子连接的 3D TI，确定了三个独立的电导 、 和 ，其中 z 是 3D TI 五重层的法线方向（见图 1 插图）。发现量子化电导分别为 、 和 ，对应的量子化电导涨落分别为 0.54、0.47 和 0.50。平均电导及其涨落的量子化可以通过模式混合理论来理解。讨论了能够观测到平均电导量子化的实验实现。
引用
@article{arxiv.1110.3883,
title = {Disorder induced quantized conductance with fractional value and universal conductance fluctuation in three-dimensional topological insulators},
author = {Lei Zhang and Jianing Zhuang and Yanxia Xing and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.3883},
year = {2011}
}