三维手性二阶拓扑绝缘体中的无序诱导相变
介观与纳米尺度物理
2025-07-08 v2 材料科学
摘要
拓扑绝缘体已扩展到高阶版本,其在低维具有拓扑铰链或角态。然而,它们对抗无序的鲁棒性仍不清楚。在此,我们从理论上研究了存在无序时三维(3D)手性二阶拓扑绝缘体(SOTI)的相变。我们的结果表明,通过增大无序强度,侧表面和体的非零态密度分别在不无序临界强度 和 处出现。谱函数表明体隙仅在 不变点之一即 处闭合。侧表面隙或体隙的闭合归因于准粒子弹性平均自由时间的显著减小。由于侧表面态的局域化,我们发现 3D 手性 SOTI 在高达 的无序强度下于平均量子化电导 处是鲁棒的。当无序强度超过 时,3D 手性 SOTI 随后依次被驱动进入两个相,即扩散金属相和安德森绝缘相。此外,在扩散金属相中出现 的平均电导平台。
引用
@article{arxiv.2308.02256,
title = {Disorder-Induced Phase Transitions in Three-Dimensional Chiral Second-Order Topological Insulator},
author = {Yedi Shen and Zeyu Li and Qian Niu and Zhenhua Qiao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.02256},
year = {2025}
}