关于“三维高阶拓扑绝缘体的库仑不稳定性”的评论
强关联电子
2023-05-25 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
基于重正化群（RG）计算，Zhao 等人最近的一封信 [Phys. Rev. Lett. 127, 176601 (2021)] 声称三维二阶拓扑绝缘体（SOTI）对库仑相互作用总是不稳定的，并将因此经历拓扑相变成为拓扑绝缘体（TI）或普通绝缘体。虽然该文计算正确，但关于 SOTI 到 TI 拓扑相变的结论并不成立。这一错误结论的原因在于作者使用了错误的判据来识别相变。在本评论中我们提醒，为定位 SOTI 到 TI 的可能相变，恰当的量是表面态的变号质量隙 。通过 RG 方法考察其行为，我们证明了 SOTI 对弱库仑相互作用的稳定性。
引用
@article{arxiv.2202.01642,
title = {Comment on "Coulomb Instabilities of a Three-Dimensional Higher-Order Topological Insulator"},
author = {Yu-Wen Lee and Min-Fong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.01642},
year = {2023}
}
备注
3 pages, 1 figure