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具有二次能带接触点的三维系统中的拓扑 Mott 绝缘体

强关联电子 2014-09-04 v2 介观与纳米尺度物理 高能物理 - 理论

摘要

我们认为,费米能级位于二次能带接触点(如 HgTe)的三维电子系统,可能在任意弱的长程库仑相互作用下,因自发形成(拓扑)Mott 绝缘体而不稳定。这种不稳定性机制可以理解为 Abrikosov 非费米液体不动点与另一个量子临界不动点的碰撞,随着系统维度 ddlow+d\rightarrow d_{low} +,后者在耦合空间中趋近于前者,其中“下临界维度”满足 2<dlow<42< d_{low}<4。给出了基于 d=3d=3 大-NN 极限考量以及接近 d=2d=2 时存在量子临界点的论据。在单圈计算中,我们发现 dlow=3.26d_{low} = 3.26,因此略高于但离三维不远。这转化为一个温度/能量窗口 (Tc,T)(T_c, T_*),在此窗口内 NFL 标度仍应可观测,之后 Mott 相变最终在临界温度 TcTexp(zC/(dlowd)1/2)T_c \sim T_* \exp(-z C/(d_{low} -d)^{1/2}) 发生。我们估算 C=π/1.1C=\pi/1.1,动力学临界指数 z1.8z\approx 1.8,以及温度标度 kBT(4m/melϵ2)13.6eVk_B T_* \approx (4 m/ m_{el} \epsilon^2)13.6 eV,其中 mm 为能带质量,ϵ\epsilon 为介电常数。

关键词

引用

@article{arxiv.1404.5721,
  title  = {Topological Mott insulator in three-dimensional systems with quadratic band touching},
  author = {Igor F. Herbut and Lukas Janssen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5721},
  year   = {2014}
}

备注

4+ pages, two figures. The updated version has one new figure, streamlined and improved presentation with additional comments and explanations, and new and updated references. Matches closely the published version