具有二次能带接触点的三维系统中的拓扑 Mott 绝缘体
强关联电子
2014-09-04 v2 介观与纳米尺度物理
高能物理 - 理论
摘要
我们认为,费米能级位于二次能带接触点(如 HgTe)的三维电子系统,可能在任意弱的长程库仑相互作用下,因自发形成(拓扑)Mott 绝缘体而不稳定。这种不稳定性机制可以理解为 Abrikosov 非费米液体不动点与另一个量子临界不动点的碰撞,随着系统维度 ,后者在耦合空间中趋近于前者,其中“下临界维度”满足 。给出了基于 大- 极限考量以及接近 时存在量子临界点的论据。在单圈计算中,我们发现 ,因此略高于但离三维不远。这转化为一个温度/能量窗口 ,在此窗口内 NFL 标度仍应可观测,之后 Mott 相变最终在临界温度 发生。我们估算 ,动力学临界指数 ,以及温度标度 ,其中 为能带质量, 为介电常数。
引用
@article{arxiv.1404.5721,
title = {Topological Mott insulator in three-dimensional systems with quadratic band touching},
author = {Igor F. Herbut and Lukas Janssen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.5721},
year = {2014}
}
备注
4+ pages, two figures. The updated version has one new figure, streamlined and improved presentation with additional comments and explanations, and new and updated references. Matches closely the published version