半导体量子井中二维电子气的交换不稳定性
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
由调制掺杂的GaAs/AlGaAs单量子井中形成的二维（2D）电子气在当第一个激发子带被电子占据时，会发生一次相变；通过在施加直流电压将费米能调谐至激发子带共振位置。从低温光致发光光谱中获得了这一效应的直接证据，显示在第一个激发子带突然被占据时，电子束间能出现突变性重整。密度泛函理论计算（该方法对2D交换势能进行严格处理），表明该电子系统的热力学不稳定性主要由电子束间交换库仑相互作用的电子束项所致。通过温度依赖测量，推断出临界点位于 K。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106472,
title = {Exchange instability of the two-dimensional electron gas in semiconductor quantum wells},
author = {A. R. Goñi and U. Haboeck and C. Thomsen and K. Eberl and F. A. Reboredo and C. R. Proetto and F. Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106472},
year = {2009}
}